A Intel não está apenas fabricando chips no Arizona*, nos Estados Unidos. Está fabricando uma narrativa geopolítica: a de que a manufatura avançada de semicondutores pode — e deve — voltar para o solo norte-americano. A empresa anunciou que aFab 52 está operacional desde julho e já iniciou produção em alto volume do processo18A.
“Nossa Fab 52 aqui no Arizona está totalmente operacional. Começamos a produção em 18A e manufatura de alto volume”, anunciou Kevin O’Buckley, vice-presidente sênior e gerente-geral dos Foundry Services da Intel. “AIntel Foundry está em produção noúnico processo de classe de dois nanômetros que foi desenvolvido e será manufaturado aqui nosEstados Unidos“.
A prova tangível veio nas mãos do executivo, que citou oPanther Lake como o produto colocado em produção completa naFab 52. OPanther Lake, voltado paraClient & Edge, é o primeiro chip em alto volume de produção a utilizar o nó avançadoIntel 18A e a tecnologia de empacotamentoFoveros-S. Este chip é o sucessor doLunar Lake e está previsto para chegar ao mercado no final de2025 e início de 2026.
Desafiando a narrativa do declínio com manufatura
Chris Auth, vice-presidente e diretor de Advanced Transistor Development na Intel, foi direto ao confrontar o ceticismo. “Provavelmente o ponto-chave aqui é que essas são as instalações semicondutoras mais avançadas, não apenas nos EUA, mas no mundo”, declarou ao apresentar o processo 18A.
“Deixe-me apenas garantir que vocês entendam isso. Essas são as instalações semicondutoras mais avançadas do mundo. Tem a tecnologia de transistor mais avançada comRibbonFET e a tecnologia de interconexão mais avançada comPowerVia, e este é o ponto onde preciso de ajuda de todos vocês para garantir que essa mensagem seja disseminada”, enfatizouAuth.
A mensagem é política e técnica. “Porque há uma narrativa de que não fazemos manufatura de tecnologia semicondutora avançada nosEstados Unidos, mas aqui estamos fazendo isso emdois estados, nos EUA, e ambas essas fábricas estão escalando para manufatura de alto volume em2025“, afirmou.
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Inovações em processo: RibbonFET e PowerVia
A tecnologia que roda naFab 52 representa uma ruptura. Segundo os executivos, oIntel 18A é o primeiro nó defoundry do mundo a integrar as duas inovações.
ORibbonFET é a tecnologiagate-all-around daIntel, onde o gate envolve completamente lâminas de silício. Isso garantecontrole superior do gate e permiteescalabilidade.
APowerVia é a primeira entrega de energia pelolado traseiro dawafer a entrar em produção de alto volume. Os ganhos são substanciais: ela permite até10% mais densidade e utilização de célula, e reduz a perda de energia (IR drop) do pacote para o transistor em até30%. Além disso, oPowerVia permite o uso decamadas de metal inferiores otimizadas para custo com impressão direta em camadas iniciais de interconexão, o que resulta em uma redução de44% nacontagem de máscaras e42% nacontagem de etapas (em comparação com oIntel 18A semPowerVia).
Performance, empacotamento e manufatura
Os ganhos de performance são significativos, com o conjuntoRibbonFET + PowerVia fornecendo mais de15% de melhoria nodesempenho por watt (perf/w) (vs.Intel 3). Além disso, há mais de25% deredução de energia em iso-desempenho (vs.Intel 3)e escalonamento de área com1.3x a densidade de chip (vs.Intel 3).
Navid Shahriari, vice-presidente-executivo responsável por empacotamento avançado da companhia, destacou que oClearwater Forest (plataformadata center)é o primeiro produto em alto volume a usar oFoveros Direct. OFoveros Direct empregabonding híbridocobre-a-cobre compitch de9 microns. É o interconectordie-to-die demaior densidade () emenor energia, com consumo de. Shahriari também afirmou ter inventado oknown good die (KGD) mais eficiente, comteste dedie singulado. Essa capacidade permite executar todo o conteúdo de teste no nível dodie antes da montagem no pacote, o que demonstra umganho de rendimento de 1.5% em relação ao KGD padrão em pacotes avançados.
A tecnologia de ponta está sendopesquisada, desenvolvida e construída nos Estados Unidos, com o p&d de processo de silício emHillsboro, Oregon, e a produção em alto volume noArizona. Apesar de estar no deserto, o local deOcotillo é fornecido por100% de energia renovável e a empresa está focada em sernet-positive em água e reduzir o desperdício.
O’Buckley encerrou com um compromisso. “Somos a primeira empresa combinando transistoresgate-all-around e tecnologias de energiabackside, os primeiros na indústria”. “Confiança não é sobre eu ficar aqui e apontar para uma wafer e dizer: olhe, conseguimos. Você confia em nós quando pode entrar em sua loja favorita e comprar um produto que está usando essas tecnologias. Não confie em nós até que você possa fazer isso”, afirmou. Com duas fábricas em dois estados nos Estados Unidos rodando o que eles chamam de “processo mais avançado do mundo”, a Intel fez sua aposta.
*A jornalista viajou a convite da Intel
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